2 * 3mm twou Titàn elaji may ak Ir -Ta kouch pou Semiconductor Plating

2 * 3mm twou Titàn elaji may ak Ir - Ta kouch pou Semiconductor Plating se manifaktire soti nan ASTM B265 Klas 1 fèy komèsyal pi Titàn. Kontrèman ak may so, konstriksyon elaji kreye yon dyaman kontinyèl -ouvèti ki gen fòm-isit la espesifye kòm 2mm × 3mm-san pèt materyèl oswa entèseksyon soude, prezève rezistans korozyon natirèl substrate Titàn la ak entegrite estriktirèl. Etap ekspansyon an oryante seksyon nan yon ang kontwole, ogmante sifas efikas pandan y ap kenbe distribisyon aktyèl inifòm atravè figi anod la. Pou aplikasyon pou plating semi-conducteurs, jeyometri sa a dirèkteman tradui nan koule elektwolit ki estab nan elektwòd la, minimize pyèj ti wonn, ak liy jaden elektrik konsistan, tout bagay enpòtan pou reyalize inifòmite sub-mikwon plating sou substrat-nivo wafer. Apre ekspansyon, may la sibi degrese serye alkalin ak grave asid pou retire oksid natif natal, asire ancrage mekanik pou kouch ki vin apre melanje oksid metal -.

Kouch oksid iridyòm -tantal (Ir{-Ta) aplike atravè dekonpozisyon tèmik sèl précurseur, ki bay yon anod dimansyon ki estab (DSA) ki espesyalman enjenyè pou evolisyon oksijèn nan elektwolit ki baze sou asid silfirik-ki gen tras klori-kontaye plat la nan semi-kondiktè a nan chimik davans. baths. 2*3mm twou Titàn elaji may ak Ir-Ta kouch pou Semiconductor Plating delivre oksijèn evolisyon overpotential osi ba ke 1.385V kont mèki silfat referans elektwòd, dirèkteman diminye vòltaj selilè ak konsomasyon enèji nan batman kè peryodik ranvèse (PPR) operasyon plating. Fòmilasyon Ir-Ta a montre rezistans siperyè nan disolisyon anodik anba gwo -aktyèl- pulsasyon dansite ki komen nan pwosesis damasen kòb kwiv mete, kote penti ki baze sou ruthenium-ta sibi degradasyon akselere.

Anplis de sa, eleman oksid Tantal la estabilize estrikti kouch la, pwolonje lavi operasyonèl pi lwen pase 36 mwa anba tipik semi-conducteurs foup-a-foup plating cycles. Chak lot may enspekte ak sistèm vizyon otomatik pandan etap plat ak fini, sètifye tolerans epesè nan ± 0.05mm ak kwen burr-pwofil gratis konpatib ak manyen otomatik zouti plating. Rezilta a se yon anod ki pa gen kontaminasyon-ki kenbe estabilite dimansyon, elimine patikil koule, epi li pèmèt pèfòmans plating ki repete, segondè -pite ki nesesè pou metalizasyon entèkonekte avanse.

Rezistans korozyon siperyè nan klori-ki gen asid silfirik

Eleman oksid Tantal la estabilize matris la kouch kont atak anodik nan elektwolit ki gen klori tras, yon aditif estanda nan chimi avanse plating kwiv. Substra Titàn rete totalman pasivasyon, elimine risk pou kontaminasyon kòb kwiv mete soti nan metal debaz fonn.

Minimize pyèj ti wonn ak amelyore transpò mas

Estrikti may louvri pèmèt bul oksijèn evolye detache rapidman nan sifas elektwòd la, diminye rezistans kouch fwontyè epi kenbe koule elektwolit ki konsistan. Altènatif may ak plak solid yo montre pi gwo retansyon gaz, sa ki lakòz pwoteksyon lokalize ak plak ki pa-inifòmite.

Kontaminasyon-operasyon gratis

Tou de substra Titàn ak kouch Ir-Ta yo inaktif anba kondisyon plating. Pa gen plon, antimwàn, oswa lòt espès idrosolubl yo lage nan elektwolit la, elimine nesesite pou ranplasman sak anod peryodik ak diminye domaj patikil nan karakteristik sub-10μm.

 

Tolerans epesè ak bor-gratis

 

Post-aplani ak fini ekspansyon yo kontwole ak sistèm vizyon otomatik, kenbe epesè a ± 0.05mm nan nominal epi asire tout kwen fil yo ebavure. Sa a elimine domaj mekanik nan separateur manbràn oswa zouti manyen wafer.

Pwolonje lavi sèvis

Tès akselere pou tout lavi (ALT) anba 2 A/cm² nan 1.5 M H₂SO₄ toujou depase 36 mwa nan operasyon kontinyèl, ak degradasyon kouch ki endike pa ogmantasyon vòltaj olye ke echèk katastwofik, ki pèmèt orè antretyen previzib.

Customizable paramèt jewometrik

 

Pandan ke yo espesifye kòm yon ouvèti 2mm × 3mm, pwosesis la may elaji pèmèt kontwòl endepandan sou lajè strand, ang ouvèti, ak pousantaj zòn ouvè, sa ki pèmèt optimize pou konsepsyon zouti espesifik plak ak kondisyon koule likid san yo pa depans retooling.

• Copper Damascene pou nœuds lojik - Asanble anod nan zouti plating 300mm pou vide -anba lib- ranpli nan tranche anba-10nm; may elaji asire distribisyon inifòm aktyèl anba fòm vag PPR.

• Atravè-Silisyòm atravè (TSV) ranpli - Anòd konplè-cross- nan chanm vètikal pou 10:1-20:1 rapò aspè vias; kenbe evolisyon oksijèn ki estab pandan sik pwolonje gwo -aktyèl-dansite.

• Kouch redistribisyon (RDL) sou panèl-anbalaj nivo – Sistèm plating plating orizontal; 2 × 3mm ouvèti pèmèt kontinyèl elektwolit resikilasyon pou<3% thickness variation across 600mm substrates.

• Anba-metalizasyon boul (UBM) pou baskile-chip – Segman kontwòl aktyèl nan zouti selektif plating; kouch kenbe tèt ak sik netwayaj ranvèse peryodik san yo pa derive pèfòmans.

• Embedded tras substra (ETS) gwo -interconnexions dansite – Vètikal kontinyèl platers (VCP); panèl anod kouvri tout lajè substrate, minimize trennen -soti ak elimine kontrent antretyen plak solid.

• Bouch lò/nikèl pou otomobil ak aparèy elektrik – Gwo -aktyèl- operasyon dansite (3–8 ASD); ba twòp potansyèl diminye elektwolit chofaj, prezève estabilite beny pou 20-100μm monte desann.

• Elèktrolitik fèy kwiv post{0}tretman - Liy kontinyèl pou FOIL 6-18μm; may elaji pèmèt aktyèl inifòm atravè lajè entènèt 1400mm nan etap pasivasyon ki baze sou chromium-.

• Renovasyon zouti plating – Ranplasman dirèk pou Lam Research, Applied Materials, sistèm NEXX; Kouch Ir-Ta bay entèval sèvis pwolonje sou anod orijinal ki baze sou ruthenium-.

Tel: 0917-3873009

Telefòn: +86 18992731201

Imèl:zhangjixia@bjygti.com

Faks: 0917-3873009

Adrès: Non. 195, Gaoxin Avenue, High-Zòn Devlopman Teknoloji, Baoji City, Shaanxi, Lachin

WhatsApp: +86 18992731201

Baj popilè: 2 * 3mm twou Titàn elaji may ak ir-ta kouch pou plating semi-conducteurs, Lachin, Swèd, manifaktirè, Customized, l ', lis pri, pou vann, nan stock, echantiyon gratis, materyèl pore